Wafer di silicio policristallino quadrato per pannello solare
Il processo di fabbricazione dei wafer di silicio policristallino è relativamente semplice e può essere prodotto in serie, quindi è ampiamente utilizzato nella produzione di pannelli solari.
Descrizione
Descrizione
I wafer di silicio policristallino sono un materiale utilizzato per realizzare celle solari. È composto da molti piccoli cristalli, che è più economico da produrre rispetto ai wafer di silicio a cristallo singolo, ma le sue proprietà elettriche sono leggermente inferiori ai wafer di silicio a cristallo singolo.
Caratteristiche dei wafer in polisilicio
▼ Bassi costi di produzione: rispetto ai wafer di silicio monocristallino, i wafer di silicio policristallino sono più economici da produrre perché non richiedono un processo di crescita a cristallo singolo come i wafer di silicio monocristallino.
▼ Buone prestazioni fotoelettriche: sebbene le prestazioni elettriche dei wafer di silicio policristallino siano leggermente inferiori a quelle dei wafer di silicio monocristallino, la sua efficienza di conversione fotoelettrica è ancora molto elevata, che può raggiungere circa il 20%.
▼ Buona stabilità: i wafer di polisilicio hanno una buona stabilità e possono mantenere a lungo la stabilità delle loro proprietà elettriche e fotoelettriche.
Produzione su larga scala: il processo di fabbricazione dei wafer di silicio policristallino è relativamente semplice e può essere prodotto in serie, quindi è ampiamente utilizzato nella produzione di pannelli solari.
Specifica
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PROPRIETÀ DEI MATERIALI |
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PROPRIETÀ |
SPECIFICA A |
NORMA DI RIFERIMENTO A |
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METODO DI CRESCITA |
CZ |
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ORIENTAMENTO DEL CRISTALLO |
<100>±2º |
ASTM F26 |
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TIPO DONATORE |
P/boro |
ASTM F42 |
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CONCERTRAZIONE DI OSSIGENO |
Minore o uguale a 1.0x1018atomi/cm3 |
ASTM F1188 misurato al centro |
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CONCENTRAZIONE DI CRABONIO |
Minore o uguale a 5.0x1016atomi/cm3 |
ASTM F1391 misurato al centro dello sfrido |
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DENSITÀ DI DISLOCAZIONE |
Inferiore o uguale a 3000 pezzi/cm3 |
ASTM F47-88 misurato sullo sfrido nella coda del lingotto |
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PROPRIETÀ ELETTRICHE |
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RESISITIVITÀ |
1.0-3.0ohm-cm |
ASTM F43 |
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TUTTA LA VITA |
Maggiore o uguale a 10us |
Maggiore o uguale a 10us |
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GEOMETRIA |
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GEOMETRIA |
PIAZZA |
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SPESSORE |
180um ± 20um |
ASTM F533/BORDO 6MM 4, CENTRO 1 |
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TTV |
Inferiore o uguale a 30um |
ASTM F567/BORDO 6MM 4, CENTRO 1 |
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DIMENSIONE |
156±0.5um |
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SEGNI DI SEGA |
profondità Inferiore o uguale a 15um, profondità Inferiore o uguale a 15um |
ASTM F567 |
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QUALITÀ DELLA SUPERFICIE |
Pulito, senza macchie di grasso |
Profilometro/sj-210 |
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SCHEGGIATURA DEL BORDO |
profondità Inferiore o uguale a {{0}}.3mm,lunghezza Inferiore o uguale a 0.5mm |
A vista |
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RIENTRATURA |
Profondità minore o uguale a {{0}}.3um, lunghezza minore o uguale a 0,5 mm, nessuna cavità a forma di V, totale minore o uguale a 2 |
A vista |
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ARCO |
<40um |
Astm f657; da capacitivo senza contatto |
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RUGOSITÀ (RA) |
<1.0um |
Profilometro/sj-210 |
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CONFEZIONE ED ETICHETTE |
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PACCHETTO |
400 PZ/PACCHETTO |
100 PZ/BORSA |
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ETICHETTE |
PARTE N. PO N. NO DI WAFER, DIMENSIONE |
TEMPERATURA, UMIDITÀ |
Etichetta sexy: wafer di silicio policristallino quadrato per pannello solare
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