Semiconduttore di wafer di silicio FZ
Descrizione Il wafer di silicio FZ è un tipo di wafer di silicio ad alta purezza comunemente utilizzato nell'industria dei semiconduttori. FZ sta per Float Zone, che è un metodo per coltivare silicio monocristallino. Durante il processo FZ, una bacchetta di silicio viene sospesa verticalmente in un forno ad alta temperatura e...
Descrizione
Descrizione
Il wafer di silicio FZ è un tipo di wafer di silicio ad alta purezza comunemente utilizzato nell'industria dei semiconduttori. FZ sta per Float Zone, che è un metodo per coltivare silicio monocristallino.
Durante il processo FZ, una bacchetta di silicio viene sospesa verticalmente in un forno ad alta temperatura e viene creata una zona fusa riscaldando una piccola sezione della bacchetta. La zona fusa viene spostata lungo la lunghezza dell'asta e, raffreddandosi, si solidifica in un singolo cristallo. Il processo viene ripetuto più volte fino a quando l'intera lunghezza dell'asta non è stata convertita in un singolo cristallo.
I wafer di silicio FZ hanno un livello di purezza molto elevato, con livelli di impurità tipicamente inferiori a una parte per miliardo. Questa purezza li rende ideali per l'uso in dispositivi elettronici ad alte prestazioni, come microprocessori, chip di memoria e celle solari. I wafer FZ sono utilizzati anche nella ricerca scientifica e nella produzione di sensori e rilevatori ad alte prestazioni.
Specifica
| Diametro | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" | 8" |
| Metodo di crescita | FZ | |||||
| Orientamento | < 1-0-0 > , < 1-1-1 > | |||||
| Tipo/Drogante | Intrinseco, Tipo N/Fos, Tipo P/Boro | |||||
| Spessore (um) | 279 | 380 | 525 | 625 | 675 | 725 |
| Tolleranza sullo spessore | Standard ± 25um | ±50um | ||||
| Resistività (Ohm-cm) | 1000-20000, Maximum Capabilities>20000 e 1-5 | |||||
| Superficie finita | P/E , P/P, E/E, G/G | |||||
| TTV (ehm) | Standard< 10 um | |||||
| Arco/Ordito (um) | Standard<40 um | |||||

Etichetta sexy: semiconduttore wafer di silicio fz
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